| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
|
 |
IRTO263 |
7700 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263 |
12316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263 |
8048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
|
IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
IRTO-263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
||||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
20000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
|
IRTO-262 |
41 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
|||
|
深圳良洲科技有限公司2年
留言
|
INFINEONNA |
15000 |
23+ |
原装现货,实单价格可谈 |
|||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市安博威科技有限公司4年
留言
|
INFINEON/IRTO-220-3 |
1750 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
||||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
IR/VISHAYSOT263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
5000 |
22+ |
特价出,百分百原装正品现货 |
|||
|
深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
|
1750 |
18+ |
TO-220-3 |
||||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
9782 |
ROHS全新原装 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
IRL14采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL14图片
IRL1404STRLPBF价格
IRL1404STRLPBF价格：￥12.3700品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRL1404STRLPBF多少钱，想知道IRL1404STRLPBF价格是多少？参考价：￥12.3700。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL1404STRLPBF批发价格及采购报价，IRL1404STRLPBF销售排行榜及行情走势，IRL1404STRLPBF报价。
IRL1404Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL1404L功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1404LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1404PBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1404S功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1404SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1404SPFF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL1404STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1404Z功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1404ZL功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1404ZLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
