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BC56-10PA	文件：1.74382 Mbytes Page：22 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC56-10PA	文件：250.88 Kbytes Page：13 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •AEC-Q101qual	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC56-10PA-Q	文件：250.07 Kbytes Page：13 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •Qualifiedacc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC56-10PAS	文件：1.40185 Mbytes Page：14 Pages	45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICand ICM Threecurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC56-10PAS	文件：1.40285 Mbytes Page：14 Pages	45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10	文件：827.56 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP51...BCP53(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP56-10	文件：480.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BCP56-10	文件：161.15 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Generaldescription NPNmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■Low-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP56-10	文件：43.44 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplements:BCP51,BCP52andBCP53. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Switching.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP56-10	文件：42.76 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SuitableforAFdriversandoutputstages HighcollectorcurrentandLowVCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCP56-10	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP51…BCP53(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCP56-10	文件：48.04 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP51...BCP53(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP56-10	文件：530.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP56-10	文件：247.79 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10	文件：1.74382 Mbytes Page：22 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10H	文件：1.27175 Mbytes Page：16 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10H	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10H	文件：1.25985 Mbytes Page：16 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10-Q	文件：249.1 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10T	文件：287.1 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
IRKH56-10A
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR ADD-A-pakTM GEN V Power Modules

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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