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IRGR4045DPBF	文件：327.62 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：327.62 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRGR4045DPBF_15	文件：327.62 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：327.62 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGR4045D	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low VCEon Copack IGBT in a D-Pak package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGR4045DTRLPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 77W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGR4045DTRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 77W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
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产品属性

产品编号：
IRGR4045DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，6A
开关能量：
56µJ（开），122µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/75ns
测试条件：
400V，6A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 12A 77W DPAK

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