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IRGBC20F	文件：249.49 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Introduction The reliability report is a summary of the test data collated since the implementation of the reliability programme. This report will be periodically updated typically on a quarterly basis. Future publications of this report will also include as appropriate additional information to 文件：249.49 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRGBC20F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRGBC20FD2	文件：68.77 Kbytes Page：1 Pages	IRGBC20FD2 Introduction The reliability report is a summary of the test data collated since the implementation of the reliability programme. This report will be periodically updated typically on a quarterly basis. Future publications of this report will also include as appropriate additional information to 文件：68.77 Kbytes 页数：1 Pages	IRF	IRF
IRGBC20FD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRGBC20FD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IRGBC20FD2	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGBC20FD2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

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易创佳业科技（深圳）有限公司	IRGBC20F	IR/VISHAY	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IRGBC20F	INTERNATI		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
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更多IRGBC20F供应商更新时间2025-10-7 19:10:00