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IRGB4062DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode • Tight parameter

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IRF

IRGB4062DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB4062DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGB4062D

600V 超快Copack 沟槽栅 IGBT,采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRGB4062DPBF

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGB4062DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    115µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    41ns/104ns

  • 测试条件:

    400V,24A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB

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