首页 >IRGB4061D>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

IRGB4061DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:404.79 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGB4061DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:410.36 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGB4061DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:410.36 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGB4061D

600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package

600V 沟槽栅 IGBT 与超快软恢复二极管联合封装到 TO-TO-220AB 封装中。\n • 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术\n• 最高结温为 175 °C\n• 方形 RBSOA\n• 正 VCE(ON) 温度系数\n• 参数分布紧凑\n• 在广泛的应用领域都能发挥高效率\n• 强健的瞬态性能提升可靠性\n• 低 EMI\n;

Infineon

英飞凌

IRGB4061DPBF

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 36A 206W TO220AB

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGB4061DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,18A

  • 开关能量:

    95µJ(开),350µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/105ns

  • 测试条件:

    400V,18A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 36A 206W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
TO-220
20540
保证进口原装现货假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
25+
TO-220
32360
INFINEON/英飞凌全新特价IRGB4061DPBF即刻询购立享优惠#长期有货
询价
IR
24+
TO-220
3
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
TO-220
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
INFINEON/英飞凌
23+/24+
TO-220
9865
原装正品,专业分销IGBT管
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
159840
明嘉莱只做原装正品现货
询价
INFINEON/英飞凌
10+
TO-220
690
原装现货
询价
IR
24+
TO-220
45000
IR代理原包原盒,假一罚十。最低价
询价
IR
24+
TO-220
1105
只做原装假一赔十
询价
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
26500
原装正品现货支持实单
询价
更多IRGB4061D供应商 更新时间2025-11-6 15:53:00