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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for 4X Rated Current (ILM) • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode 文件：286.34 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Low Switching Losses 文件：295.48 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
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IRGB4059D | 600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 8A 56W TO220AB | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
IRGB4059DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，4A
- 开关能量：
35µJ（开），75µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/65ns
- 测试条件：
400V，4A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 8A 56W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO220 |
37489 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
2447 |
TO220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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INFINEON |
25+ |
TO-220 |
3000 |
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