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IRGB10B60KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien

文件:324.07 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

IRGB10B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru

文件:365.94 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

IRGB10B60KD

600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT,采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRGB10B60KDPBF

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 22A 156W TO220AB

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGB10B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    140µJ(开),250µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/230ns

  • 测试条件:

    400V,10A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 22A 156W TO220AB

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IRGB10B60KDPBF
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更多IRGB10B60供应商 更新时间2025-11-3 19:20:00