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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO | 
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件:443.75 Kbytes 页数:11 Pages  | IRF  | IRF  | ||
Package:TO-247-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 108A COPAK247  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件:443.75 Kbytes 页数:11 Pages  | IRF  | IRF  | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件:344.86 Kbytes 页数:11 Pages  | IRF  | IRF  | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range 文件:388.69 Kbytes 页数:10 Pages  | IRF  | IRF  | 
产品属性
- 产品编号:
IRG7PH46UD-EP
 - 制造商:
Infineon Technologies
 - 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
 - 包装:
散装
 - IGBT 类型:
沟道
 - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,40A
 - 开关能量:
2.61mJ(开),1.85mJ(关)
 - 输入类型:
标准
 - 25°C 时 Td(开/关)值:
45ns/410ns
 - 测试条件:
600V,40A,10 欧姆,15V
 - 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
 - 安装类型:
通孔
 - 封装/外壳:
TO-247-3
 - 供应商器件封装:
TO-247AD
 - 描述:
IGBT 1200V 108A COPAK247
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR  | 
2024+  | 
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70000  | 
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Infineon  | 
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IR  | 
23+  | 
TO247  | 
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INFINEON  | 
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IR  | 
23+  | 
TO247  | 
50000  | 
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Infineon  | 
22+  | 
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INFINEON  | 
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15+  | 
TO-247  | 
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Infineon Technologies  | 
24+  | 
原装  | 
5000  | 
原装正品,提供BOM配单服务  | 
询价 | ||
Infineon Technologies  | 
2022+  | 
TO-247AD  | 
38550  | 
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销  | 
询价 | 
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