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Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and switching losses 10µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 150°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient Benefits High efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in Pa 文件：747.97 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 70A 320W TO247AD | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and switching losses 10µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 150°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient Benefits High efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in Pa 文件：747.97 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：879.26 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF |
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH44K10D-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，25A
- 开关能量：
2.1mJ（开），1.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
75ns/315ns
- 测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 70A 320W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
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N/A |
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INFINEON |
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IOR |
24+ |
TO247-3 |
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