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IRG7PH35UD-EP	文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Ultra fast soft recovery co-pak diode • Tight parameter distribution • Lead-Free Benefits • High efficiency in a wide ra 文件：466.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG7PH35UD-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A COPAK247	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG7PH35UDPBF	文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Ultra fast soft recovery co-pak diode • Tight parameter distribution • Lead-Free Benefits • High efficiency in a wide ra 文件：466.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG7PH35UDPBF	文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：466.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG7PH35U-EP	文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range 文件：379.97 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG7PH35UD-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
开关能量：
1.06mJ（开），620µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/160ns
测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 50A COPAK247

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