选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-247 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列产品,公司现货供应IRG4PF50WDPBF,全新原装,绝对正品现货,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
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IRTO-247 |
3600 |
13+ |
原装进口正品 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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IR/INFINEONTO-247 |
2500 |
20+ |
IGBT 600V 55A 200W 通孔 TO-247AC |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-247 |
3500 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
12500 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司7年
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120000 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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IRTO-247 |
5230 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳兆威电子有限公司5年
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-247 |
550 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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IRTO247 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-247-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
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IRTO-247 |
15000 |
21+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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200 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
90000 |
2020+ |
全系列供应大部分现货可接受订货 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
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IRSOP |
15823 |
2206+ |
只做原厂原装数量以当天为准,二十年渠道专卖! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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IRTO-247AC |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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INFINEON/IRTO247 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-247 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
IRG4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IRG4PC50FDPBF价格
IRG4PC50FDPBF价格:¥10.0283品牌:INTERNATIONAL
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IRG4PF50WPBF资讯
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联系电话0755-82777855/82702619
IRG4PC50WPBF
IGBT晶体管600VWarp60-150kHz
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IRG4PC40UDPBF
IRG4PC40UDPBF
IRG4BC20KDPBF
IRG4BC20KDPBF
IRG4PC40WPBF
IRG4PC40WPBF
IRG4PF50WPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG41BC30UD功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BAC50W-S功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BAC50W-SPBF功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC10K功能描述:IGBT UFAST 600V 9.0A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC10KD制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC10KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC10KPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube