选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
750 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
8000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
366 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
27316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
18368 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
65400 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
15000 |
21+ |
绝对原装公司现货欢迎询价 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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IRTO263 |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-263 |
5000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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200 |
1833 |
原装现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
1600 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
1600 |
2021 |
全新原装公司现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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IRFZ44NSTRLPBF
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IRFZ44NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ44NSTRL制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 55 V 3.8 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRFZ44NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ44NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ44NSTRLPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 3.8 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
IRFZ44NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44NSTRRPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube