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IRFZ44NPBF

HEXFET-R Power MOSFET

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

文件:150.51 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFZ44NPBF

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

文件:1.01448 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFZ44NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:231.93 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFZ44NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:231.93 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

详细参数

  • 型号:

    IRFZ44NPB

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 55V 41A 17.5mOhm 42nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220/TO-263
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更多IRFZ44NPB供应商 更新时间2025-11-3 9:03:00