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IRFZ20	文件：1.84167 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Thetechnologyhasexpandeditsproductbasetoservethelowvoltage,verylowRDS(on)MOSFETtransistorrequirements.Vishay’shighlyefficientgeometryanduniqueprocessinghavebeencombinedtocreatethelowestonresistanceperdeviceperformance.Inadditiontothisfeatureal	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ20	文件：237.17 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET TRANSISTORS ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ20	文件：262.85 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •ExtremelylowRDS(on) •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Partspermillionquality •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisda	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ20	文件：698.8 Kbytes Page：2 Pages	IM-Channel 5O VOLT POWER MOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFZ20	文件：1.9864 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ20_V01	文件：262.85 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •ExtremelylowRDS(on) •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Partspermillionquality •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisda	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ20PBF	文件：1.84167 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Thetechnologyhasexpandeditsproductbasetoservethelowvoltage,verylowRDS(on)MOSFETtransistorrequirements.Vishay’shighlyefficientgeometryanduniqueprocessinghavebeencombinedtocreatethelowestonresistanceperdeviceperformance.Inadditiontothisfeatureal	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
IRFZ20
功能描述：
MOSFET N-Chan 50V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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