IRFS3307中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRFS3307规格书详情
Benefits
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Applications
• High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
• Uninterruptible Power Supply
• High Speed Power Switching
• Hard Switched and High Frequency Circuits
产品属性
- 型号：
IRFS3307
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-263 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
8600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501369 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
D2PAK |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
