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IRFS17N20D	文件：194.73 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：194.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS17N20DPBF	文件：282.49 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：282.49 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRFS17N20
功能描述：
MOSFET 200V SINGLE N-CH 170mOhms 33nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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