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IRFR310TRL	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR310TRL	文件：3.93235 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR310TRLA	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR310TRLPBF	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR310TRLPBFA	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR310TRLPBFA	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR310TRLPBF-BE3	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
310	文件：50.19 Kbytes Page：1 Pages	UltraLowBiasCurrentVaractorBridgeOperationalAmplifiers	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
310	文件：382.28 Kbytes Page：1 Pages	SCREWTYPESERIES	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
310	文件：199.28 Kbytes Page：1 Pages	INTERCONNECTS.100??Grid(.018??dia.)PinsSMTGullWingHeaders&SocketsSingleandDoubleRow	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.	MILL-MAX
310	文件：984.54 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowBiasCurrentVaractorBridgeOperationalAmplifiers	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
310	文件：933.59 Kbytes Page：1 Pages	FourwireKelvinleadmeasurements	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
310	文件：2.27033 Mbytes Page：6 Pages	Tilt-To-LoadDrumTumblersFeaturePower-TilttoEnableEasy,Floor-LevelLoading	MORSEMorse Mfg. Co., Inc. 莫尔斯莫尔斯制造公司	MORSE
310A	文件：3.47095 Mbytes Page：51 Pages	NoiseFilters	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
310A	文件：206.6 Kbytes Page：12 Pages	EnhancedRS-232LineDrivers/Receivers	SipexSipex Corporation 西伯斯\|迈凌西伯斯公司	Sipex
310-A	文件：2.27033 Mbytes Page：6 Pages	Tilt-To-LoadDrumTumblersFeaturePower-TilttoEnableEasy,Floor-LevelLoading	MORSEMorse Mfg. Co., Inc. 莫尔斯莫尔斯制造公司	MORSE
310B	文件：49.24 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-CHANNELAUDIO	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
310BR	文件：1.13286 Mbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
310B-R	文件：49.24 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-CHANNELAUDIO	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
310B-T	文件：49.24 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-CHANNELAUDIO	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
IRFR310TRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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