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IRFR230	文件：4.66549 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatest processingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR230A	文件：260.64 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V LowRDS(ON):0.333(Typ.) W m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRFR230B	文件：639.27 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulsein	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRFR2307Z	文件：300.83 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2307Z	文件：335.36 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFR2307Z	文件：1.17075 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2307ZPBF	文件：369.69 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2307ZPBF	文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2307ZPBF	文件：4.36084 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2307ZPBF	文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2307ZPBF	文件：4.17109 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2307ZPBF_15	文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2307ZTRL	文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2307ZTRLPBF	文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2307ZTRPBF	文件：1.024819 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRFR2307ZTRR	文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR230A	文件：321.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
230	文件：60.42 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREFUSES-5x20mm	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
230	文件：60.72 Kbytes Page：2 Pages	5x20mmMINIATUREFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
230	文件：185.66 Kbytes Page：9 Pages	Lowvoltagefast-switchingPNPpowertransistor Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(powerbipolarhighcurrentdensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features •Verylowcollector-emittersaturationvoltage •Hig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
IRFR230
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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