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中天科工半导体(深圳)有限公司

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IRFR024NTRPBF

INFINEON/英飞凌TO252

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热卖原装现货

深圳市凌旭科技有限公司

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INFINEONTO-252

6000

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十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEONTO-252

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世TO252

8550

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

9500

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳兆威电子有限公司

6年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-252

90000

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只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市赛能新源半导体有限公司

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IRSOT-252

60000

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原装正品进口现货

深圳市英科美电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

18392

2021+

原装进口假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

37800

2022+

1+
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只做原装进口 免费送样

深圳市得捷芯城科技有限公司

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VISHAY(威世)TO-252

31800

2022+

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只做原装进口 免费送样

深圳市芯祺盛科技有限公司

11年 留言
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INFINEONTO-252

18000

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原装库存有订单来谈优势

深圳市昌和盛利电子有限公司

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SOT-252

20529

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专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO252

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深圳市恒达亿科技有限公司

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INFINEONTO-252

6000

23+

全新原装现货、诚信经营!

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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IRTO-252

6880

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只做原装,质量保证

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-252

620

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252

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Infineon 现货直销 当天发货正品渠道

深圳市赛特兴科技有限公司

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INFINEONTO-252

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正规渠道,只有原装!

深圳市赛尔通科技有限公司

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IRSOT-252

65400

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深圳市科思奇电子科技有限公司

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IRSOT-252

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IRFR024NTRPBF 只做原装正品原厂代理渠道

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IRFR024NTRPBF坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道,自营库存.大陆现货,货品纯正,质优价宜

IRFR024NTRPBF坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道

IRFR024NTRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货

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专业工厂配单配套范围内:集成电路ic二三极管电容电阻电感晶振LED万用板排针插座连接器接插件微动开关按键开关杜邦线等电子元件QQ:2355705579刘小姐

IRFR014TRPBF正品原装MOS管,正品原装,大量现货库存热卖 IRFR014TRPBF

型号:IRFR014TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)@25°C:7.7A开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:200毫欧@4.6A,10VId时的Vgs(th)(最大):4V@250μA闸电荷(Qg

IRFR014TRPBF中文资料Alldatasheet PDF

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IRFR010功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR010TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TRR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR010TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR012制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRFR014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube