选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-252 |
6000 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO252 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRSOT-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
18392 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
37800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
31800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
18000 |
21+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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SOT-252 |
20529 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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INFINEONTO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
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IRTO-252 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
620 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
38000 |
2022+ |
Infineon 现货直销 当天发货正品渠道 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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INFINEONTO-252 |
40000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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IRSOT-252 |
3000 |
20+ |
支持实单/原盒/原包/原标/进口原装 |
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IRFR024NTRPBF价格
IRFR024NTRPBF价格:¥1.0432品牌:International
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IRFR014TRPBF资讯
IRFR024NTRPBF 只做原装正品原厂代理渠道
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IRFR024NTRPBF坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道,自营库存.大陆现货,货品纯正,质优价宜
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IRFR024NTRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货
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IRFR024NTRPBF 场效应管 MOSFET IRFR024 N沟道 现货TO-252
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型号:IRFR014TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)@25°C:7.7A开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:200毫欧@4.6A,10VId时的Vgs(th)(最大):4V@250μA闸电荷(Qg
IRFR014TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR010功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR012制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AVALANCHE AND dv/dt RATED
IRFR014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube