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IRFPS38N60L	文件：175.49 Kbytes Page：9 Pages	SMPS MOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity Applications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS38N60L	文件：190.7 Kbytes Page：9 Pages	Lower Gate Charge Results in Simple Drive Requirements FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •ComplianttoRoHSDirec	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS38N60LPBF	文件：200.08 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
DAM38N60D	文件：251.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
HMS38N60T	文件：600.95 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXGH38N60	文件：45.63 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SiHFPS38N60L	文件：190.7 Kbytes Page：9 Pages	LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •ComplianttoRoHSDirec	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP38N60E	文件：143.35 Kbytes Page：7 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP38N60EF	文件：149.78 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
STE38N60	文件：263.91 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY (SEESTH12N60FORRATING) ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWER CAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHE TWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRthJUNCTIONTOCASE ■VERYLOWDRAINTOCASECAPACITANCE ■VERYLOWINT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SW38N60K	文件：815.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-247MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

详细参数

型号：
IRFPS38N60
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 38 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFPS38N60供应商更新时间2024-6-5 9:00:00

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