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IRFPC48	文件：214.18 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.82ohm, Id=8.9A) HEXFET®PowerMOSFET ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMountingHole ●FastSwitching ●EaseofParalleling ●SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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IRFPC48

文件：214.18 Kbytes

Page：8 Pages

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.82ohm, Id=8.9A)

HEXFET®PowerMOSFET ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMountingHole ●FastSwitching ●EaseofParalleling ●SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRF

详细参数

型号：
IRFPC48
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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