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IRFPC40	文件：1.47588 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.47588 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPC40	文件：615.2 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inf 文件：615.2 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPC40	文件：168.54 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A) 文件：168.54 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFPC40	文件：1.52688 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.52688 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPC40_V01	文件：615.2 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inf 文件：615.2 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPC40PBF	文件：1.47588 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.47588 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPC40R	文件：67.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 6.8A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) • Fast Switching 文件：67.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFPC40PBF	文件：1.52688 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.52688 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPC40	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• Isolated central mounting hole;	Vishay 威世科技	Vishay
IRFPC40	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFPC40
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFPC40供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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