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IRFP450LC	文件：1.54602 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS (V) 500 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 0.40 Qg (Max.) (nC) 74 Qgs (nC) 19 Qgd (nC) 35 Configuration Single DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFET technology the device improvement 文件：1.54602 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP450LC	文件：340.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A) VDSS = 500V RDS(on) = 0.40Ω ID = 14A Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds 文件：340.78 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP450LC	文件：1.62434 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.62434 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP450LCPBF	文件：1.54602 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS (V) 500 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 0.40 Qg (Max.) (nC) 74 Qgs (nC) 19 Qgd (nC) 35 Configuration Single DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFET technology the device improvement 文件：1.54602 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP450LCPBF	文件：1.33729 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 500V RDS(on) = 0.40Ω ID = 14A Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds 文件：1.33729 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP450LC_V01	文件：1.62434 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.62434 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP450LCPBF	文件：1.62434 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.62434 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP450LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Ultra Low Gate Charge\n• Reduced Gate Drive Requirement\n• Enhanced 30 V VGS Rating;	Vishay 威世	Vishay
IRFP450LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFP450LC_RC/SiHFP450LC_RC	文件：300 bytes Page：1 Pages	R-C Thermal Model Parameters	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFP450LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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