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IRFL214	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214	文件：174.3 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolder	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL214	文件：278.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214_V01	文件：278.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214PBF	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214TR	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214TRPBF	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214PBF	文件：225.07 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL214TRPBFA	文件：278.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL214TRPBF-BE3AB	文件：278.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
214	文件：179.39 Kbytes Page：2 Pages	M8Male3PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
214HR	文件：179.39 Kbytes Page：2 Pages	M8Male3PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
214Z	文件：193.94 Kbytes Page：11 Pages	Li-ion/Li-PolymerBatteryChargerAcceptingTwoPowerSources	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
A214	文件：1.26409 Mbytes Page：5 Pages	ASeries1-4PoleRotarySwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
A214	文件：299.98 Kbytes Page：5 Pages	1-4PoleRotarySwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
A214	文件：299.98 Kbytes Page：5 Pages	Multi-poleandmulti-position	CK-COMPONENTS C&K Components
A214	文件：310.64 Kbytes Page：5 Pages	1-4PoleRotarySwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
A214	文件：290.55 Kbytes Page：5 Pages	Multi-poleandmulti-position	CK-COMPONENTS C&K Components
A214B/G	文件：117.39 Kbytes Page：7 Pages	3.0mmRoundTypeLEDLamps	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司
A214B-G	文件：117.39 Kbytes Page：7 Pages	3.0mmRoundTypeLEDLamps	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司

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详细参数

型号：
IRFL214
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	IRFL214	VISHAY/威世		SOT223	7906200		询价
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