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MDP7N50BTH	文件：1.18111 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N50BTH	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP7N50TH	文件：331.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH7N50	文件：292.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM7N50	文件：282.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM7N50	文件：153.28 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM7N50	文件：150.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,8A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedsepeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MTTM7N50	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
PSM7N50CT	文件：698.25 Kbytes Page：10 Pages	7.6A500VSingleN?륝hannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
SiHFIB7N50A	文件：163.61 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFIB7N50L
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
HEXFET Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市勤思达科技有限公司	IRFIB7N50L	IR	2015+	TO-220F	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
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