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IRFH8201

采用 PQFN 5x6 封装的 25V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• RoHS Compliant\n• Industry-leading quality\n• Low RDSon (less than 1.15 mOhms)\n• Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8°C/W)\n• 100% Rg tested\n• Low Profile (less than 0.9 mm)\n• Industry-Standard Pinout\n• Compatible with Existing Surface Mount Techniques\n• Qualified Industria;

Infineon

英飞凌

IRFH8201PBF

OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current

文件:560.56 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IRFH8201PBF

OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current

文件:488.14 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH8201PBF

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

文件:500.01 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFH8201PBF_15

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

文件:500.01 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFH8201TRPBF

OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current

文件:488.14 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

技术参数

  • OPN:

    IRFH8201TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    25 V

  • RDS (on) @10V max:

    0.95 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    1.6 mΩ

  • ID @25°C max:

    324 A

  • QG typ @4.5V:

    56 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    1.35 V

  • VGS(th) max:

    2.35 V

  • VGS(th):

    1.8 V

  • Technology:

    StrongIRFET™

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