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IRFH7914 | 采用 PQFN 5x6 封装的 30V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)\n• Industry standard surface-mount power package; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET 文件：254.84 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power 文件：304.42 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power 文件：294.14 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
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技术参数
- OPN：
IRFH7914TRPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
PQFN 5X6 8L
- VDS max：
30 V
- RDS (on) @10V max：
8.7 mΩ
- RDS (on) @4.5V max：
13 mΩ
- ID @25°C max：
35 A
- QG typ @4.5V：
8.3 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
1.35 V
- VGS(th) max：
2.35 V
- VGS(th)：
1.8 V
- Technology：
StrongIRFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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IR |
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