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IRFH5015

150V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 PQFN 5x6 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS;

Infineon

英飞凌

IRFH5015PBF

HEXFET Power MOSFET

Features Low RDSon (

文件:225.05 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5015TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

Features Low RDSon (

文件:225.05 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5015TRPBF

HEXFET Power MOSFET

Features Low RDSon (

文件:225.05 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5015TRPBF-TP

N-Channel Enhancement MOSFET

Application « Load switch | « High Frequency Switching and Synchronous Rectification « Active Clamp in Intermediate o DC/DC Power Supplies

文件:3.3198 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFH5015PBF

Primary Side Synchronous Rectification

文件:278.6 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFH5015PBF_15

Primary Side Synchronous Rectification

文件:278.6 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

技术参数

  • OPN:

    IRFH5015TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    150 V

  • RDS (on) @10V max:

    31 mΩ

  • ID @25°C max:

    10 A

  • QG typ @10V:

    36 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    3 V

  • VGS(th) max:

    5 V

  • VGS(th):

    4 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINE0N
21+
PQFN 5 x 6 B/G
32568
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DFN56G-8-EP
50000
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INFINEON/英飞凌
23+
DFN
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当天发货全新原装现货
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23+
QFN
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con
35960
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INFINEON/英飞凌
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更多IRFH5015供应商 更新时间2025-11-4 16:44:00