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IRFH5004	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFH5004PBF	文件：247.26 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Features and Benefits Features Low RDSon (≤ 2.6mΩ) Low Thermal Resistance to PCB (≤ 0.8°C/W) 100 Rg tested Low Profile (≤ 0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halo 文件：247.26 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFH5004TR2PBF	文件：247.26 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Features and Benefits Features Low RDSon (≤ 2.6mΩ) Low Thermal Resistance to PCB (≤ 0.8°C/W) 100 Rg tested Low Profile (≤ 0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halo 文件：247.26 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRFH5004PBF	文件：265.33 Kbytes Page：9 Pages	Secondary Side Synchronous Rectification 文件：265.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH5004PBF	文件：1.14036 Mbytes Page：10 Pages	Secondary Side Synchronous Rectification 文件：1.14036 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFH5004PBF_15	文件：265.33 Kbytes Page：9 Pages	Secondary Side Synchronous Rectification 文件：265.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH5004TRPBF	文件：1.14036 Mbytes Page：10 Pages	Secondary Side Synchronous Rectification 文件：1.14036 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFH5004TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
2.6 mΩ
ID @25°C max：
28 A
QG typ @10V：
73 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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