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IRFH4210	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm X 6mm PQFN 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFH4210DPBF	文件：256.25 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Low RDS(ON) ( 文件：256.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFH4210PBF	文件：369.14 Kbytes Page：8 Pages	Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Low RDSon ( 文件：369.14 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFH4210DPBF	文件：495.26 Kbytes Page：9 Pages	Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage 文件：495.26 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH4210DPBF_15	文件：495.26 Kbytes Page：9 Pages	Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage 文件：495.26 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH4210PBF	文件：500.36 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters 文件：500.36 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH4210PBF_15	文件：500.36 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters 文件：500.36 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH4210D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm X 6mm PQFN 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 低 RDS(ON) (低于1.10 mOhms)\n• 具有低正向压降的本征肖特基二极管\n• 对 PCB 的热阻低（低于 1.0°C/W）\n• 纤薄外形（小于0.9 毫米）\n• 符合行业标准的引脚\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ，无卤素\n• 符合MSL1，工业认证\n• FastIRFET™;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID max：
100 A
ID (@ TA=25°C) max：
45 A
ID (@ TC=25°C) max：
100 A
Ptot(@ TA=25°C) max：
3.6 W
Ptotmax：
104 W
Qgd：
13 nC
QG：
36 nC
RDS (on)max：
1.1 mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
1.35 mΩ
RDS (on)(@10V) max：
1.1 mΩ
RthJCmax：
1.2 K/W
Tjmax：
150 °C
VDSmax：
25 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
SMD
Package：
PQFN 5 x 6 B
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市斌腾达科技有限公司	IRFH4210	INFINE0N	21+	PQFN 5 x 6 B	32568	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFH4210	IR	2022+	DFN56G-8-EP	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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更多IRFH4210供应商更新时间2025-10-31 13:02:00

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