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IRFB9N30A | Power MOSFET(Vdss=300V, Rds(on)=0.45ohm, Id=9.3A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power 文件：137.03 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRFB9N30A | Power MOSFET 文件：176.03 Kbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
HEXFET짰 Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of ast switching, ruggedized device design, low onresistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at lower di 文件：128.639 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Power MOSFET 文件：176.03 Kbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
IRFB9N30A | HEXFET® Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Power MOSFET | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
IRFB9N30A
- 功能描述：
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Vishay Siliconix |
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TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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