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IRFB59N10DPBF中文资料PDF规格书

IRFB59N10DPBF
厂商型号

IRFB59N10DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

224.3 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-14 23:47:00

IRFB59N10DPBF规格书详情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● UPS / Motor Control Inverters

● Lead-Free

产品属性

  • 型号:

    IRFB59N10DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
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公司只作原装正品
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