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IRFB38N20DPBF	文件：275.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters • Plasma Display Panel • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalan 文件：275.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRFS38N20D	文件：133.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：133.62 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS38N20D	文件：300.45 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRFB38N20DPB
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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