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IRFB20N50K	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Low RDS(on) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/d 文件：204.02 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFB20N50K	文件：371.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.25Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB20N50K	文件：115.08 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Charac 文件：115.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB20N50KPBF	文件：180.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully C 文件：180.61 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB20N50KPBF	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Low RDS(on) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/d 文件：204.02 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFB20N50K	文件：858.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：858.46 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFB20N50K	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：334.78 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFB20N50K	文件：195.75 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：195.75 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFB20N50K	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：3.3763 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFB20N50K_17	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：334.78 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

Package：
TO-220AB
Ch：
N
VDS (V)：
500
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.25
Qg @10V (nC)：
110
Qgs (nC)：
33
Qgd (nC)：
54
ID Max. (A)：
20
PD Max. (W)：
280
VGS(th) Min. (V)：
3

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