P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved Inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysllicon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

文件：158.98 Kbytes 页数：4 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

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TO-220/TO-263

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国际整流器

上传：深圳市勤思达科技有限公司

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TO-220

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国际整流器

上传：深圳市彭英电子有限公司

Infineon/英飞凌
TO-220

Infineon/英飞凌

上传：深圳市拓亿芯电子有限公司

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TO-220

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国际整流器

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