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IRF9640S	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640S	文件：170.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640S	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF9640S	文件：372.86 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9640S_V01	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640SPBF	文件：979.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640STRL	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640STRLPBF	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9640	文件：169.14 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF9640S
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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