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IRF9630PBF	文件：2.9463 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9630PBF	文件：153.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFETS FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •P-Channel •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethe designerwiththebestcombinationof	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630PBF	文件：547.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630S	文件：179.25 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-6.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancher	IRF International Rectifier	IRF
IRF9630S	文件：182.57 Kbytes Page：8 Pages	Repetitiveavalancherated DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630S	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630SPBF	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630STRLPBFA	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9630G	文件：952.14 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9630G	文件：172.98 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-4.3A) ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF9630L
功能描述：
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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