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IRF9530N	文件：113.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530N	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9530N	文件：2.77627 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9530NL	文件：1.20027 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowintern	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9530NL	文件：273.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤200mΩ(@VGS=-10V;ID=-8.4A) •Advancedtrenchprocesstechnology •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Fastswitchingapplication.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9530NL	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NLPBF	文件：758.16 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologySurfaceMount VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NPBF	文件：231.44 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NPBF	文件：123.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF

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