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GENERATION V TECHNOLOGY | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=7A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
FinalAudioOutputICforLDPlayers Overview TheLA9410finalaudiooutputICforlaserdiskplayershasaninternalinputamplifierforthe1-bitDAC,40kHzLPF,digital/analogsignalselectcircuit,outputmute,volumecircuit,mixingamplifierandlimittercircuitforRFoutput,andvoltageregulatorforplusandminuspowersu | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO | ||
MODULARIN-GRADELUMINAIRESINGLELENS | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | ETC1 | ||
SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
BipolarPowerTransistors BipolarPowerTransistors NPNSilicon •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus) =30Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE =85(Min)@IC=1.0Adc =60(Min)@IC=3.0Adc •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat) =0.2Vdc(Max)@IC= | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | ||
BipolarPowerTransistorsNPNSilicon | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
BipolarPowerTransistorsNPNSilicon | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
IRF9410T
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
SOP-8 |
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120000 |
原装正品 可含税交易 |
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SOP8 |
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100%原装正品现货 |
询价 |
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