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IRF830FP	文件：225.25 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF830FP	文件：405.68 Kbytes Page：5 Pages	4.5A 500V N CHANNEL POWER MOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF830I-HF	文件：100.98 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercialindustrialthroughholeapplications. ▼EaseofParalleling ▼FastSwitchingChar	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF830L	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830LPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830PBF	文件：876.43 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF830PBF	文件：135.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830PBF	文件：1.25525 Mbytes Page：6 Pages	5.0A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF830PBF	文件：2.01616 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent APPLICATIONS •Switchmodepowersupply(SMPS) •Uninterruptiblepowersupply •Highspee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF830S	文件：175.73 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF830FP
制造商：
SUNTAC
制造商全称：
SUNTAC
功能描述：
POWER MOSFET

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