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HEXFET Power MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12mΩ applications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：220.46 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
High frequency DC-DC converters 文件：229.6 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.00179 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
High frequency DC-DC converters 文件：229.6 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF8010SP
- 功能描述：
MOSFET 100V N-CH HEXFET 15mOhms 81nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-11-4 16:36:00
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