采用 SO-8 封装的 30V 双 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• RoHS Compliant\n• Low RDS(on)\n• Low Thermal resistance to PCB\n• Compatible with Existing Surface Mount Techniques\n• Low RDS(ON) at 4.5V VGS\n• Very Low Gate Charge\n• Dual N-Channel MOSFET;

Infineon

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

文件：263.56 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Dual SO-8 MOSFET for POL

文件：328.72 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Improved Body Diode Reverse Recovery

文件：328.72 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers

文件：328.72 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers

文件：328.72 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Improved Body Diode Reverse Recovery

文件：328.72 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Dual SO-8 MOSFET for POL

文件：328.72 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.94759 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体