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IRF7904 | 采用 SO-8 封装的 30V 双 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 对 PCB 的热阻低\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 极低的栅极电荷\n• 双 N 通道 MOSFET; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Graphics Cards, Game Consoles and Set-Top Box 文件：258.37 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Improved Body Diode Reverse Recovery 文件：261.56 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
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Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：313.37 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
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HEXFET Power MOSFET 文件：276.04 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
30V Dual N Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN：
IRF7904TRPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
SO8
- VDS max：
30 V
- RDS (on) @10V max：
10.8 mΩ/16.2 mΩ
- RDS (on) @4.5V max：
13 mΩ/20.5 mΩ
- ID @25°C max：
7.6 A/11 A
- QG typ @4.5V：
7.5 nC/14 nC
- Polarity：
N+N/N+N
- VGS(th) min：
1.35 V
- VGS(th) max：
2.25 V
- VGS(th)：
1.8 V
- Technology：
IR MOSFET™
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