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IRF7769L1

Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket

文件:575.49 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

IRF7769L1

采用 DirectFET ™ L8 封装的 100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 认证\n• 高额定电流\n• 双面冷却能力\n• 封装高度低至 0.7 毫米\n• 寄生 (1-2 nH) 封装电感\n• 100% 无铅(无 RoHS 豁免);

Infineon

英飞凌

IRF7769L1PBF

RoHS Compliant, Halogen Free

文件:267.29 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7769L1PBF

Optimized for Synchronous Rectification

文件:267.29 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7769L1PBF_15

Optimized for Synchronous Rectification

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IRF

IRF7769L1TRPBF

Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket

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Infineon

英飞凌

技术参数

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    3.3 W

  • Ptotmax:

    125 W

  • Qgd:

    110 nC

  • QG(typ @10V):

    200 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    3.5 mΩ

  • RthJAmax:

    45 K/W

  • Tjmax:

    175 °C

  • VDSmax:

    100 V

  • VGS(th):

    2.7 V

  • VGSmax:

    20 V

  • Mounting:

    SMD

  • Package:

    DirectFET (L)

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Micro-stencil:

    IRF66L8-25

  • Polarity:

    N

  • Moisture Sensitivity Level:

    1

  • Budgetary Price €/1k:

    1.85

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更多IRF7769L1供应商 更新时间2025-10-4 13:01:00