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IRF7495PBF	文件：147.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7495TRPBF	文件：228.82 Kbytes Page：8 Pages	Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7495TRPBF	文件：866.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=8A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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详细参数

型号：
IRF7495
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R

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