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IRF7495	文件：154.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：154.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495	文件：607.94 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：607.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7495PBF	文件：147.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：147.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TR	文件：607.94 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：607.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TRPBF	文件：228.82 Kbytes Page：8 Pages	Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：228.82 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TRPBF	文件：866.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 8 A RDS(ON) 文件：866.69 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IRF7495PBF	文件：152.53 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：152.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495PBF_15	文件：152.53 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：152.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7495TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
22 mΩ
ID @25°C max：
7.3 A
QG typ @10V：
34 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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