| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
HEXFETPowerMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
65watt;T5CompactFluorescent;6500K;82CRI;Mogulbase;120volts | SATCO Satco Products, Inc. | SATCO | ||
4X13-2X38WAUDIOPOWERAMPLIFIER2X131X38WAUDIOPOWERAMPLIFIER 1.HIGHOUTPUTPOWERCAPABILITY 2.MINIMUMEXTERNALCOMPONENTSCOUNT: –NOBOOTSTRAPCAPACITORS –NOBOUCHEROTCELLS –INTERNALLYFIXEDGAIN(26dBBTL) 3.ST-BYFUNCTION(CMOSCOMPATIBLE) 4.NOAUDIBLEPOPDURINGST-BYOPERATIONS | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
RFAMPLIFIERMODEL | APITECH API Technologies Corp | APITECH | ||
RFAMPLIFIER | SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH | SPECTRUM | ||
RFAMPLIFIERMODEL | APITECH API Technologies Corp | APITECH | ||
RFAMPLIFIERMODEL | APITECH API Technologies Corp | APITECH | ||
RFAMPLIFIERMODEL | APITECH API Technologies Corp | APITECH |
详细参数
- 型号：
IRF7379T
- 功能描述：
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 5.8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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21332 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR |
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SOP8 |
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24+ |
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IR |
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SO8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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