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IRF734	文件：2.10487 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF7341	文件：134.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341	文件：379.66 Kbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7341；Package：SOP-8；Generation V Technology TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboardspace.Thepa	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7341	文件：340.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7341GPBF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341GTRPbF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341PBF	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341Q	文件：156.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFET’sarea17	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF734
功能描述：
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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