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IRFS720	文件：318.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS720A	文件：264.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS720B	文件：879.14 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW720	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW720B	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRM-720	文件：116.93 Kbytes Page：1 Pages	ImageRejectionMixers	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
KDR720E	文件：410.97 Kbytes Page：7 Pages	WhiteLEDStep-UpConverter WhiteLEDStep-UpConverter TheKAB3403T/DNisamonolithicstep-upDC/DCconverterspecificallydesignedtodrivewhiteLEDswithaconstantcurrentfromLi-ioncell.Relativelarge320mVfeedbackvoltage&itshighaccuracyhelpyousettingLEDcurrentwithaexternalresistor. KAB3403T/D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR720E	文件：363 Kbytes Page：1 Pages	ESCPACKAGE Forhighspeedswitchingcircuit. Forsmallcurrentrectification. FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.55V(Max). •IO=200mArecificationpossible. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDR720E-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR720EL	文件：399.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE LOWCURRENTRECTIFICATION ANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR720F	文件：27.3 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE LOWCURRENTRECTIFICATION ANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDR720F-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
IRF720B
功能描述：
MOSFET 400V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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