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IRF6797MPBF

HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode

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IRF

IRF6797MPBF

RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide

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IRF

IRF6797MPBF_15

RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide

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IRF

IRF6797MTRPBF

RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide

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IRF

IRF6797M

采用 DirectFET ™ MX 封装的 25V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 高额定电流\n• 封装高度低至 0.7 毫米\n• 100% 无铅(无 RoHS 豁免);

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF6797M

  • 功能描述:

    MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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MG-WDSON-5
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MG-WDSON-5
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更多IRF6797M供应商 更新时间2025-11-3 16:12:00